■ DRAM(Dynamic Random Access Memory)
: 저장된 정보를 읽을 때 순차적으로 읽는 것이 아닌 random 하게 읽을 수 있는 메모리 반도체로 data 의 read/write 속도가 매우 빠른 특징을 갖고 있음
■ DRAM 의 구성
-cell : 기본적인 저장 단위로 bit 단위의 data를 저장함(55%)
-core : read/write 등 중심적인 기능을 담당하는 부분(30%)
-peripheral : 시스템 전체를 관리하는 역할을 하는 부분
control logic, IO interface 등을 담당(15%)
*cell 영역 : 50~60% 를 차지하며 0 or 1 의 디지털 신호를 저장하는 공간
16GB 라는 것은 cell 이 16GB 개 존재하고 16GB 개의 0, 1 의 data 를 저장할 수 있음을 의미함
■ DRAM 의 cell 구조
하나의 cell 은 1 transistor + 1 capacitor 로 구성됨
-Transistor : capacitor 의 전하를 저장하고 빼내는 스위치 역할
-Capacitor : 전하(0 or 1 data) 저장소
-Word line : transistor on/off 를 제어하는 기능 수행, TR 의 gate 에 연결되어 있음(row)
-Bit line : data bit(0 or 1) 를 read/write 하는 역할 수행, TR 의 source 에 연결되어 있음(column)
'Electronic' 카테고리의 다른 글
DRAM이란?DRAM관련 용어 (1) | 2024.03.25 |
---|---|
DRAM이란?DRAM동작 (4) | 2024.03.22 |