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Electronic

DRAM이란?DRAM구성,cell 구조

 

 

 


 

■ DRAM(Dynamic Random Access Memory)

: 저장된 정보를 읽을 때 순차적으로 읽는 것이 아닌 random 하게 읽을 수 있는 메모리 반도체로 data 의 read/write 속도가 매우 빠른 특징을 갖고 있음

 


 

■ DRAM 의 구성

-cell : 기본적인 저장 단위로 bit 단위의 data를 저장함(55%)

-core : read/write 등 중심적인 기능을 담당하는 부분(30%)

-peripheral : 시스템 전체를 관리하는 역할을 하는 부분

control logic, IO interface 등을 담당(15%)

 

*cell 영역 : 50~60% 를 차지하며 0 or 1 의 디지털 신호를 저장하는 공간

16GB 라는 것은 cell 이 16GB 개 존재하고 16GB 개의 0, 1 의 data 를 저장할 수 있음을 의미함

 


 

■ DRAM 의 cell 구조

하나의 cell 은 1 transistor + 1 capacitor 로 구성됨

-Transistor : capacitor 의 전하를 저장하고 빼내는 스위치 역할

-Capacitor : 전하(0 or 1 data) 저장소

-Word line : transistor on/off 를 제어하는 기능 수행, TR 의 gate 에 연결되어 있음(row)

-Bit line : data bit(0 or 1) 를 read/write 하는 역할 수행, TR 의 source 에 연결되어 있음(column)

 

 

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