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BEAD ■ Bead 란?전자 회로에서 noise filtering 을 위해 사용되는 수동 소자고주파 신호를 억제하고 EMI(전자기 간섭)을 줄이는데 중요한 역할을 함​■ Bead 의 주요 기능1. 고주파 noise 억제: 고주파 대역에서 신호를 감쇄시켜 회로에 존재하는 고주파 노이즈를 제거하거나 줄이는 역할을 함주로 power line 이나 signal line 에 직렬로 달아 EMI 를 억제함​2. filtering 역할: 비드는 주파수에 따라 다르게 동작하기 때문에 noise filter 처럼 동작함@ 고주파 신호 ; bead 는 저항의 역할을 하여 노이즈를 열로 변환시켜 고주파 노이즈가 제거됨@ DC or 저주파 신호 ; bead 의 영향을 거의 받지 않고 신호가 그냥 pass 됨​3. DC pa..

TVS ■ TVS(Transient Voltage Suppression Diode)란?-zener diode 의 한 종류로 abnormal 한 전압을 흡수, 억제함-보호하기 위한 power rail 이나 신호 line 과 GND 사이에 병렬로 연결해서 사용-필요한 전원 및 신호는 pass 시키고 그 이상의 level 은 모두 ground 로 흘려보내 IC 를 보호해줌-Surge, ESD 와 같은 순간적인 과전압에 대해 보호해주는 소자(지속적인 과전압은 보호할 수 없음)-응답시간이 빠르고(-clampling voltage 와 operating voltage 가 작음​TVS diode 는 통상 시에는 off 상태이며 surge 등의 과전압이 인가될 때 breakdown 되는 전압이 중요함과전압 보호가 주요 ..

MOSFET  ■MOSFET 이란?MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 은 MOS구조(Metal-Oxide-Semiconductor)를 통해 전계를 생성하여 동작하는 트랜지스터를 말함​MOS 구조MOS 구조는 Gate 에 존재하며 Drain&Souce 에 어떤 반도체 종류를 사용하느냐에 따라N-MOSFET(Drain, Source : N dopping)P-MOSFET(Drain, Source : P dopping) 으로 나눌 수 있음​N-MOSFET 구조P-MOSFET 구조 ■ MOSFET 동작 영역1) cut off 영역-디지털 논리 소자에서 off switch 처럼 동작-전압조건: Vgs (Vds 는 영향 없음) ; threshold..

LPDDR5■ Bank OperationsLPDDR5 는 3가지의 Bank 구조를 가짐1) 8B mode-8개의 bank, bank group 없음-Full frequency range2) BG mode-4개의 bank group, bank group 당 4개의 bank-High data rate support(WCK＞1.6GHz)3) 16B mode-16개의 bank, bank group 없음-Low data rate support(WCK≤1.6GHz)   ■ WCKLPDDR5 는 IO clock 이 빨라지면서 data strobe 와 data 사이의 timing 을 맞추는 것이 어려워짐이에 따라 command/address 를 위한 clock(CK) 와 data 전송을 위한 clock(WCK) 가 분..

DRAM 관련 용어 ■Array 실제 data 가 저장되는 cell 이 배열된 물리적인 구조를 나타내며 이 배열은 열과 행으로 구성되어 있음 ■Bank 메모리를 논리적으로 나눈 단위를 bank 라고 함 bank 내의 data 는 한번에 access 할 수 있으며 각 bank 는 독립적으로 동작함 Word line 은 row address 를 가짐 Sense amp 가 연결되는 bit line 은 column address 를 가짐 ​ ■Page Word line 에 연결된 FET 의 bit 수를 나타냄 보통 1KB or 2KB 의 크기를 가짐 Page size 는 한번에 켜져야 하는 sense amp 의 수를 나타내는데 Page size 가 작을수록 보다 적은 수의 sense amp 만 동작시켜도 되기 ..

DRAM 동작 Write, read 동작 시 word line 에 bias 를 인가하여 transistor 를 on 상태로 만들어줌(Active command) ■ Write Bit line 에 VDD를 인가하면 전자가 TR 에 주입되어 capacitor 에 charge 되면서 1의 정보를 저장함 반대로 0V 를 인가하면 capacitor 의 전하는 discharge 되면서 0의 정보가 저장됨 WL=high, BL=high : capacitor charge, data 1 write WL=high, BL=low : capacitor discharge, data 0 write ■ Read Bit line 에 ½*VDD 를 인가(pre-charge)하여 bit line 의 전위차의 변화를 sense ampli..

■ DRAM(Dynamic Random Access Memory) : 저장된 정보를 읽을 때 순차적으로 읽는 것이 아닌 random 하게 읽을 수 있는 메모리 반도체로 data 의 read/write 속도가 매우 빠른 특징을 갖고 있음 ■ DRAM 의 구성 -cell : 기본적인 저장 단위로 bit 단위의 data를 저장함(55%) -core : read/write 등 중심적인 기능을 담당하는 부분(30%) -peripheral : 시스템 전체를 관리하는 역할을 하는 부분 control logic, IO interface 등을 담당(15%) *cell 영역 : 50~60% 를 차지하며 0 or 1 의 디지털 신호를 저장하는 공간 16GB 라는 것은 cell 이 16GB 개 존재하고 16GB 개의 0, 1..