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DRAM이란?DRAM동작

DRAM 동작 Write, read 동작 시 word line 에 bias 를 인가하여 transistor 를 on 상태로 만들어줌(Active command) ■ Write Bit line 에 VDD를 인가하면 전자가 TR 에 주입되어 capacitor 에 charge 되면서 1의 정보를 저장함 반대로 0V 를 인가하면 capacitor 의 전하는 discharge 되면서 0의 정보가 저장됨 WL=high, BL=high : capacitor charge, data 1 write WL=high, BL=low : capacitor discharge, data 0 write ■ Read Bit line 에 ½*VDD 를 인가(pre-charge)하여 bit line 의 전위차의 변화를 sense ampli..

Electronic 2024.03.22
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#회로설계 #반도체 #소자 #필라테스 #해부학

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bead기능, bead특징, tvs란, varistor란, 삼성전자, 메모리반도체, bead란, esd보호소자, 보호소자, inductance, DDR, RAM, HBM, tvsvsvaristor, LPDDR5, DRAM, varistor동작, SKHynix, 메모리, tvs동작,

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